投稿者： 最上＠町田
投稿日時： 15/10/25 16:34:01
お世話になっています。2SD1409Aで試してみました。ｶﾀﾛｸﾞ規格Minhfeは600、負過電流は120mA、ｲﾝﾌﾟｯﾄ電圧260V、ﾍﾞｰｽｺﾝﾃﾞﾝｻに47μ、ﾊﾟﾗに750kΩの状態で、Rcb=22kΩです。計算上Ibは0.2mAですから、Vcbを10V程度と見込んでの設定でした。結論から言うと、測定から計算で求めたIbは0.35mAくらいです。つまりhfeは350前後です。Vcbは12〜14V程度です。ならばと39kΩにしましたが、Ibはほとんど変わらずで、結果Vcbが下がるだけです。10kΩにするとIbは増えて0.45〜0.5mA、測定Vcbは8V程度ですが、hfeは当然落ちます。(飽和してるということでしょうか）聴感上でもﾊﾑは盛大です。ならばと最初の定数のまま東京真空管商会で買ったIRFIBC20にそのまま交換しｹﾞｰﾄに4.7kΩ追加でやってみました。聴感上のﾊﾑは激減です。Vdgは8〜10V、Vgsは4Vくらいです。
木村さんのおっしゃるようにMOS-FETの圧勝でした。ﾊﾞｲﾎﾟｰﾗTrのﾌｨﾙﾀは初めてでしたが、実際のhfeは、今回のように規格値以下になってしまうのが当たり前なのかと推測しました。改めて木村さんの背表紙の回路を参照しました。2SD799のVce降下は22V、22kΩには0.9〜1mA程度、ﾂｪﾅｰ側には0.7〜0.8mA(300k)とすればIbはﾜｰｽﾄ0.2mAくらいでしょうか。片側ですから負過電流は70mA(100Ωの電圧降下から計算）とすれば、hfeはやはり350程度に落ち着きます。もしIb0.1mAならhfe700かな。幅がありそうです。2SD799と2SD1409Aは同じ規格なので、木村さんの著作ﾃﾞｰﾀと今回の私の結果は合っているように思われますし合っていない気もします。何となく半分安心しました。今回の可能性は0ではないのですから。ただしﾊﾞｲﾎﾟｰﾗTrでは、規格のhfeと実際のhfeではかなり食い違うということですね。この点MOS-FETを推奨される理由と判断しました。私的な教訓はﾊﾞｲﾎﾟｰﾗTrでﾌｨﾙﾀｰを作成する場合、hfeは規格の半分程度で設計することが推奨です。ありがとうございます。