安保さん　こんにちわ　　
発振の可能性は低いですが、高周波発振なら中波ラジオをモニターにします。
もし残るなら更にプレートに 10Ω程度挿入ですかね。

さて、課題は初段にあると考えますが、さらに FET はたとえば K117 等を
試すほか、下記の初段動作電圧低減〜帰還管 Rk 増加対策が考えられますね。

(1) 帰還管と GG を 内部抵抗の低い 12AT7/12AU7 にして調整。
　　12AX7 GG の内部抵抗がゼロバイアス状態でも高く100V 超過。
　　私の EL509 P-K NFB アンブでは FET + 12AU7 GG でした。

(2) 帰還管回路を FET ドレーン直に接続。　C/R 結合だから安全です。
　　但し 60V 位の ZD を並列接続して過電圧破壊対策、出力管 Rk 下端に
　　検知用の数 10Ωタップを設けそれから DC-NFB を高 R 経由で
　　FET ゲートに掛け、入力経路にはＣ挿入、ソース R 調整となります。

(3) 9 ピンのソケット装備なので三極五極管に。
　　但し 6U8/ 6EA8/ 6GH8A では G1p と Tp が隣のピン、高周波の
　　飛びつき発振を起こし面倒。　その点 6AN8/ 6AW8-A 等は安全です。
　　（拙 HP 2E24 STC に例あり。）

宇多さん、こんにちは。ご返信ありがとうございます。

「もし残るなら更にプレートに 10Ω程度挿入」了解です。

初段について
アンプゲインは帰還管の2端子回路（真空管抵抗）とFETのソース抵抗の比率で決まるようです。
FETは色々変えましたが、真空管抵抗ととFETのソース抵抗が同じであればアンプゲインも同じです。

(1) 帰還管と GG を 内部抵抗の低い 12AT7/12AU7 にして調整。
この場合、帰還管の2端子回路（真空管抵抗）は更に低下、
FETのソース電流は増えますのでソース抵抗も低くする必要があります。
しかし、帰還管の2端子回路（真空管抵抗）とFETのソース抵抗の比率はあまり変わらず...アンプゲインも大差無しでした。

(2) 帰還管回路を FET ドレーン直に接続。　C/R 結合だから安全です。
これは負帰還ですね。アンプゲインは下がる方向では？
「ZD を並列接続して過電圧破壊対策」は現在の高耐圧定電流回路で良いのでは？
それから、「ソース R 調整」すると帰還管の2端子回路（真空管抵抗）の電圧が変化、且つアンプゲインも変わります。
この「ソース R 調整」は何のためにするのでしょうか？

(3) 9 ピンのソケット装備なので三極五極管に。
市販品の改造なのでこの大掛かりなことは困難です。
五極管初段は次回自作するときに検討してみます。

●私見ですが、この回路でパスコン無しのソース抵抗のみの場合アンプゲインを上げることは困難だと思います。
もし可能であれば五極管初段でカソードパスコン無しのアンプゲインがどの位になるのか調べて頂けないでしょうか？

安保さん　こんにちわ　
またまた見当ちがいかもしれませんが、お見逃し願います。

(1) 内部抵抗の低い帰還管と GG
　GG 回路での電圧配分を減らして、帰還管に与えることにより Rk を大に、IV 変換=帰還管入力を増加しゲイン向上するかと考えました。

(2) FET ドレーンを直に接続
　FET+12AX7 GG 回路がゼロバイアス状態でも100V を分担し、帰還段の動作＝ IV 変換 Rk を圧迫するなら、GG を除いて直結V1 と同様な構成および動作電圧配分にしたらどうかな、ただし安定化と保護は必要・・・と考えたのです。

(3) 「ソース R 調整」は何のために
　内部抵抗の低い帰還管と GG とする場合に FET のソース抵抗をへらしてバイアスを浅めに、ソース電流を増やし FET+GG への電圧配分を減らし、余剰を帰還段への印加電圧増加＝ Rk 増に宛て、配分を調整できるかなと考えたのです。

(4) パスコン無しの初段ソース/カソード抵抗
　直結V1 例についての概要です。　家で使うなら、通常の用法は CD プレーヤ (または FM チューナ) からの直入力が多く精々 1V 程度です。　
　聴衆が集まる会場などでは、使用するスピーカの能率や部屋サイズも関係しますが、 FET/五極管ともにナシではフルヴォリュームでも不足気味、フラットアンプなどが欲しい例がしばしばでした。
　そこで、初段の定電流性をやや損ねてもゲイン確保と、直結回路での動作点調整の容易さを考慮、パスコン追加を通例としました。　厳密には普通の SRPP サイドに若干後退ですが。　余るゲインは出力段の P から初段カソードに軽く P-K NFB で後退をカバーしたつもりです。　　

宇多さん、こんばんは。

私が調べた範囲では、帰還管を内部抵抗の低い 12AT7/12AU7 にしても、FETを色々なものに変えても、
この回路でパスコン無しの初段ソース抵抗でアンプゲイン（低歪）は上がらなかったです。
これは、宇多さんの「FET/五極管ともにナシではフルヴォリュームでも不足気味」と一致していますね。
ということで、私の場合は低音の迫力を重視したいのでパスコン無しで使いたいと思います。

入出力のXY軸が逆ですよね。見間違いました。（汗）1kHzでは4W位のところでクリッピングしています。

こんにちわ　
武末数馬氏著「パワーアンプの設計と製作」ラジオ技術全書011A ラジオ技術社
を参照しました。　

入力対出力特性・・・入力電圧(db/V) と出力(W, 対数尺) の関係が直線域の
上端で鈍化するクリッピング・レベルが最大無ひずみ出力・・・とあります。

従って、出力対雑音歪み率特性曲線が急激に悪化する点でも大差ありません。
なお負荷の値によって最大出力が変化し、内部抵抗＝負荷抵抗にて最大です。

安保さん　こんにちわ　　一段と完成度が上がりました。

● 電圧帰還管の選択・・・回路名称の件等
１．「C/R 結合V1」は直結V1 の C/R 結合版、安保さんの回路が該当です。　
　▲「P-G NFB 併用カソフォロ・ドライブ回路」は部分的な超三結回路であり
　　NFB 信号は帰還段＝カソフォロにのみに配分、V1 等と区別のため (勝手に)
　　「準超三結」と命名しました。　別途に電圧増幅段を設けます。　
　▲「P-G NFB 併用 SRPP ドライブ回路」は「超三結効果」が少なく　
　　「類似回路」とし超三結のカテゴリ外としました。　双三極管 SRPP
　　の P-G NFB 併用を超三結と混同する例があり、区別する目的もありました。
２．帰還管の変更・・・DF 変化なしは、FET + 三極管 GG の安定度が高く影響
　　を受けにくいためかと思います。　直結では要素が多くよく判らないです。

● 五極管による初段
　FET + 三極管 GG によるカスコード・アンプは私も何例かトライしました。
　確かに FET 一発では電圧余裕等が少なく、直結では出力段 K のカサ上げ
　電圧を低くすれぱ設定範囲が狭く、しかも調整時に壊しかねない等問題です。
　直結V1 の場合は初段故障時の保護回路を、調整ミスも含めて追加しましたが。

● ダイオードの効果・・・スイッチで実時間比較する方もおられます。
　P 回路・・・廉価品 OPT に効果があるみたい。　過渡的な信号時に差かも。
　SG 回路・・・ビーム管は効きにくいみたいで、電極構造等も関係するかも。　

● 初段 FETのソースのパスコン
　五極管も同じで、初段の定電流性確保のため電流帰還とする場合 R のみです。
　私は低域を抑制し、直結V1の動作点調整が円滑になるので入れています。　
　定電流性が落ちても帰還段との適正インピーダンス配分ができればＯＫかと。

● 五極管の SG 電圧
　OPT による P 電圧の降下と合わせたり、水平偏向出力管の SG 電圧調整用
　ブリーダ・ドロッパを挿入します。　100uF 位でグランドまたはカソード
　に落としてみたら如何でしょう。

宇多さん、こんにちは。迅速なご返信ありがとうございます。

● 電圧帰還管の選択・・・回路名称の件等
この回路は「C/R 結合V1」ということ了解です。
「帰還管の変更・・・DF 変化なし」は私も良く分かりませんが、
C/R 結合の４７０ＫΩのグリッドリークの影響は無いと考えています。

● 五極管による初段
> 直結V1 の場合は初段故障時の保護回路を、調整ミスも含めて追加しましたが。

この回路は高耐圧定電流回路と同じ原理で保護します。
しかもこの高耐圧定電流回路は「定電流回路の内部抵抗は元の定電流ダイオードの内部抵抗のμ倍になり、これはちょっとやそっとでは得られないくらい高い値になります。」との優位を持っています。

● ダイオードの効果・・・スイッチで実時間比較する方もおられます。
> P 回路・・・廉価品 OPT に効果があるみたい。　過渡的な信号時に差かも。
> SG 回路・・・ビーム管は効きにくいみたいで、電極構造等も関係するかも。

う〜ん、高価なファーストリカバリーDiですか...、このダイオード効果が分かる方は素晴らしい感性をお持ちですね。
低音命の私では当面無理ですので（笑）、保留とさせて頂きます。

● 初段 FETのソースのパスコン
> 五極管も同じで、初段の定電流性確保のため電流帰還とする場合 R のみです。
> 私は低域を抑制し、直結V1の動作点調整が円滑になるので入れています。　

　定電流性が落ちるということ了解です。

● 五極管の SG 電圧
> 100uF 位でグランドまたはカソードに落としてみたら如何でしょう。

電圧をPより50V下げ8.2kの終端についている22uFでグランドに落としましたが低音の迫力が減少します。
歪特性・入出力特性が一段落してから100uFで実験してみます。

※今後について
１．アンプゲインの向上
　現行の４倍では不足し過ぎですよね。±電源とOPアンプを使えば簡単ですが、それでは芸が無いので...
２．大出力の歪率改善
　現行の回路では入力信号が大きな電圧でマイナス側になったとき電圧電流変換回路の直線性が悪くなります。アンプゲイン不足も含めて何とかしたいと考えております。
３．MC-10T(EL34B/PP)の超三結化
　実はBOYUU EL34B(日本仕様)の音が余りにも酷かったのでこれも追加購入しました。
　真空管アンプの性能としては普通？であり何も不満はありませんが、このEL34Bシングル超三結化の音を聴くとMC-10Tも改造してみたいと思っています。
　ただ、改造が大掛かりになり大変なので二の足を踏む？かも知れません...（汗）

安保さん　こんにちわ　　以下、見当違いにはご容赦のほどを。

１．ゲイン不足
　帰還管のカソード抵抗 Rk が過小かも。　直結では 4.7k~8.2k 辺りです。

２．大出力の歪率改善
　下の 12AX7/2 GG が Ek=Eg とゼロ・バイアス状態・・・見直し要か。
(1) 帰還管のカソード抵抗を増やすと、下の GG の動作電圧が下がりますが、
(2) FET のバイアスＲ調整、および／または GG のグリッド電位を
　　ポテンショ加減に時定数を加え、最適化すると良いかもしれません。

宇多さん、おはようございます。

帰還管のカソード抵抗がゲイン不足の要因ですが、現在のFET電流で4.7kにするとロー電圧側で飽和するので不可です。
FET電流を少なくするにはFETのソース抵抗を大きくするかIDSSの小さいものにする必要がありますが、
大出力の歪率との関係もありゲインを上手く上げることができません。
これが、FETの初段で（残念ながら選択範囲はあまり広くは無いように見えます...）の意味です。

安保さん　みなさん　こんにちわ　超三結へのアプローチ大歓迎です。　

(1) ファイナルは五極管接続がよろしいです。　UL では別の球みたいです。
(2) 純V1 ・・・直結はかなり安定で、やってみる価値が十分あります。
　　帰還管による P-G NFB の他に、初段にも NFB が掛かかります。
　　C/R 結合では、グリッドリークがこの NFB 効果を半減するみたいです。
(3) 純V1 では初段は五極管または FET/BJT 一発とし、動作点調整します。
(4) 電圧帰還管は 12AX7 がおとなしく、AT7 は固め(制動がやや過剰)、
　　AU7 はさらに固めながら、直結の場合は動作点調整が困難です。
　　・・・帰還管と初段への NFB 量と配分が変って DF に影響します。　
(5) 騙されたつもりで・・・ダイオードを P/SG に直列に挿入すると超三結に
　　限らず、いろいろな条件により音質的に効果がある場合があるようです。
　　電源はＣをモリモリすると、その効果が顕著になるようです。

宇多さん、ご返信ありがとうございます。

１）準超三結 V1回路の改造では５極管接続とUL接続でＤＦが殆ど同じ結果だったのでUL接続でも良いのかなと考えていました。
　　現在の超三結 V1回路（Ｃ／Ｒ結合）でＤＦ・周波数特性・歪など詳細に比較してみます。
２）初段がFET・TRのとき電源電圧や動作温度が変化したとき、出力管のプレート電流が大きく変動するという内容がありました。
　　初段が５極管（スクリーングリッドに出力管のEKを帰還）にすると電源電圧の変化に対して安定するようですが、
　　今回は市販品の改造ということで実装上困難です。
　　確かにC/R 結合の４７０ＫΩのグリッドリークが気になりますが、
　　ＤＦは準超三結 V1回路の1.8から超三結 V1回路（Ｃ／Ｒ結合）の4.4と大幅に向上していますので、この影響は少ないのかなとも考えています。
　　（超三結 V3 回路の改造もしてみましたが、ＤＦは2.4でした。）
　　ということで、より無難な「(A1) 超三結 V1 C/R 結合回路に改造して転進する (後退する ?)」を選択させて頂きます。
３）純超三結 V1回路は、次回改造機（若しくは自作）で初段を五極管にできるときに採用してみます。
４）今後、12AT7・12AU7に変更したときの特性変化も調べてみます。
５）考え方が古いようで...（笑）、どうもこのダイオードの効果については？？？。騙されたつもりで試してみます。

それと、この超三結 V1回路（Ｃ／Ｒ結合）は最適な部品や定数でないことが影響していると思われますが、
飽和する最大出力が想定よりかなり低い、歪も少し多いという問題を持っています。

「飽和する最大出力が想定よりかなり低い、歪も少し多いという問題を持っています。」の件ですが、原因はパソコンのオーディオ入力が飽和していました。
初めてHandyOscilloを使いましたので勘違いをしました。（汗）

安保さん　こんにちわ
伝統回路とはいろいろ異なるため、各種の比較実験をおすすめします。

(1) 回路比較
　NFB'ed SRPP、V3 では効果不十分にて直結 V1 に限定した経過があります。
　ただし、2A3/45, 300B などローμ三極出力管は P-G NFB'ed カソフォロ・
　ドライブで十分、カソフォロのμが少ないと効き過ぎました。

(2) FET・TR 初段
　直結では出力管カソード電流を初段に DC-NFB しないと変動します。　
　この場合、部品点数が増え、調整も加わるので「拙ページ」では初段を
　五極管に絞り込んだイキサツがあります。
　なお初段は「定電流性」を持つ事が必要で、三極管では効果が不十分です。
　これは、NFB'ed SRPP ドライブでも同様な意味となります。

(3) ＤＦ・周波数特性・歪
　私は一般的な回路のアンプとの音質比較が主です。　数値そのものより
　再現性・・・出力トランスの選択自由度、電源電圧のイイ加減さ許容度、
　広汎な出力管の適用性なども要素です。　数値は若干わるいかも・・・　

(4) 出力
　初段・電圧帰還段の構成にて深い NFB が掛かり、ミスマッチ傾向です。
　負荷のインピーダンスが上がると出力が増えて、フルレンジ一発では、
　ハイローが持ち上がる傾向になります。　ネットワーク補正入りの 2/3way
　では抑制されるけど、ロー側処置がなければ持ち上がります。
　これらが適切量である場合は効果として捉えられるものと思われます。

(5) ダイオードの効果
　抵抗負荷では何も出ません。　連続サイン波でもおそらく・・・
　しかし効果ありとする方が多数おられるから、全くのオカルトではないと
　考えられ、スピーカの構造、ソース、聴取者のライブ臨場経験とその記憶
　などが関係するものと思われます。　効果なしとする方もおられます。　

宇多さん、こんにちは。お世話になります。

(1) 回路比較
　５極管のときNFB'ed SRPP、V3 では効果不十分、ローμ三極出力管は十分の件了解です。

(2) FET・TR 初段
　直結では初段にDC-NFB しないと変動、宇多さんは初段を五極管に絞り込んだ、三極管では効果が不十分の件了解です。
　私も、FET・TRの初段でDCの安定化無しの直結にする件は、何となくですが直流的に不安定（→性能変化や壊れる）の不安を持っています。

(3) ＤＦ・周波数特性・歪
　この超三結 V1回路（Ｃ／Ｒ結合）でＤＦ・周波数特性・歪など調べてみますが、試聴した限りでは綺麗な音質で特に問題が無いような感じです。

(4) 出力
　私のオーディオは低音命（笑）ですので、ローが持ち上がる傾向は歓迎です。
　超三結の低音はパンチ力があり、そして伸びもありますので大変満足しています。

こんにちわ　アレコレとレビューしていたら下記が見つかりました。

● 電圧帰還管の選択
　私が相当以前に試作した EL34 の直結V1 と C/R結合V1 との DF を =5.7
に一致させた場合の、電圧帰還管の選択は下記でした。(拙ページご参照)

　(1) 直結V1 では　12AT7/2 (μ=60, Rp=10.9kΩ,Gm=5.5mS)
　(2) C/R結合V1 では　6BL8(T) (μ=20, Rp=4.0kΩ,Gm=5.0mS)　6350/2 類似?

　動作電圧等の環境の相違があるとしても、C/R結合V1 では初段への NFB を
増やし帰還管への配分を減らすため、μ/Rp の低い管種を選択しています。
　この比較結果から、直結V1 の方が初段により深い NFB が掛けることが可、
すなわち、C/R結合V1 ではグリッドリークの影響がある訳ですね。

● 五極管による初段
　試作した過程にては、FET/BJT 初段はバラツキなど再現性に問題が残りそう、
拙ホームベージの立場としては追試験される場合の確実な再現性を考慮して、
(敢えて)選択範囲が広く動作が確実な電圧増幅五極管を選択しました。