何を思って測定しようと考えたのか忘れましたが、......内蔵FETのrDを測定してみました。（確か、電源電圧を上げたときに負荷抵抗を大きくしたら出力が取り出せるのか気になったんだと思います。） rDの測定は、マイクを通して音を入れて、負荷抵抗を変えて出力変化から測定します。 等価回路は図のようになります。Idはgm×Vgsで、負荷はFETの内部抵抗rDと負荷抵抗の合成抵抗になります。 Vgs = Vi(入力)、負荷の一部にコンデンサをパラに接続することでVdsを変えずに負荷抵抗だけを変えるようにし、負荷を変えた時のゲイン比からrDを算出できます。1.1kΩと2.2kΩ、2.2kΩと4.4kΩの場合の比を測定しました。 結果、ゲイン比はそれぞれ3.0dB、2.0dBで、図の式に従って求めると、いずれもrD = 1.5kΩとなります。 ということで、通常使用の場合、負荷抵抗を大きくしてもあまり出力は稼げないようです。 で、ついでにgmも測定できないかと考えました。上の場合はソース接地ですが、ソースフォロアとのゲイン比で図の式のように求められるのでは？ ということで、マイク端子（マイクのグランド：ケース）をソースに繋ぐ（ソース接地）か、電源に繋ぐ（ソースフォロア）かを切り替えてゲイン比を測定してみました。 その結果は、gm = 0.6 mS。2SK123の規格表を見ると IDSS = 0.3 mA で 1 mS 以上と思えるのですが、どこか間違っているのでしょうか？ う〜〜〜〜〜〜ん........