高宮さん、皆さん、こんにちは。半導体アンプ分科会掲示板より、引っ越してきました。この回路で歪を測定しました。周波数は1kHz、出力電圧は100mVとしました。2SC1815では1.60と1.62%、2SC373では1.53と1.59%、2SA1015では1.43と1.46%、2SA495では1.49と1.45%となりました。（同品を2個づつ測定）手元のトランジスタは多分、同じロットのものでしょう。大体、1.5〜1.6%とあまり違いがありませんでした。高宮さんの仰る様に単一のモデルで済むのが確認できました。シミュレーターに上記製品があれば、個別に、この結果と比較できますね。よろしく、お願いします。
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村田さん こんにちはこのような日本製(過去に量産されたもの現在は国内メーカは生産打ち切りの方向です。)小信号用のspiceパラメータは一般に公表されていません。 従って、Is 飽和電流をデータシートを基に算出します。小信号トランジスタの違いでアンプの特性の差があることは普通はありません。 どれでも似たり寄ったりです。せっかくですので、少しパラメータを算出してみたいと思いますので、使われた石のグレードを教えてください。hfeの差がすなわち飽和電流の差になります。データシートはメーカーからではなく秋月などから探してみます。
トランジスタの飽和電流1e-14として動作電流0.9mA出力+/-140mV 100mVrms位 で 1.68%の歪です。ほとんど二次歪です。これは Vbe Ic 特性がエバースモル 等価回路の計算でほぼ合うでしょう。 但し ケミコンの直列抵抗を100mΩとしてです。 従って 入力+/-2.24mV時です。
高宮さん、皆さん、こんばんは。トランジスタは2SC1815GRです。シミュレーションはかなり正確に一致することが分かりました。ありがとうございます。>小信号トランジスタの違いでアンプの特性の差があることは普通はありません。この事を心して、アンプを作りたいと思います。
東芝の特性グラフは変わっていますね。 今回は初めて気が付きました。他社でこのようなものは見たことがありません。 これはVbe は Ibで決まり Ie または Icで決まらないという当たり前のことです。 Vbe Ic 特性を見ていくとhfe に依存していることが分ります。 しかし、このような表示を追従するメーカが現れないのは残念です。 2SA1015でもほぼ同じ結果です。Is=3e-14として1.60%でした。この回路の場合 室温やhfe抵抗値の差による動作電流の違いが有ります。 またケミコンのタンデルタの大きさによって歪はよくみえるでしょう。 測定器も歪率計のトレーサビリテーは難しいはずです。 平均値応答か実効値応答かも歪率の二桁目には効いてくるでしょう。
.MODEL 2SC1815 NPN (BF=192.019 BR=4.99998 CJC=7.82341p CJE=2p IKF=214.789m+ IKR=980.183 IS=9.99315f ISC=33.4247f ISE=124.464f ITF=9.76409m MJC=500.188m+ MJE=500m NE=1.51791 NF=1.01109 RE=2.96389 TF=512.206p TR=10n VAF=311.281+ VJC=700m VTF=9.97698 XTF=183.171m)
六桁も数値が並んでいますが、東芝の2SC1815としてはパラメータ値の桁が違いませんか。
おかしいですか。MODELは、確かトラ技の付録かなんからの拾いもんです。それから、LBRファイルのものは、MC元からのものです。ともに、無償物なので、確証はりませんね。やはり、お金をかけないとだめでしょうか？でも、当方のお遊びレベルではもっともらしそうな動作はしているようで。Okとしてます。
六桁も数値を書くということは何か割り算をして、四捨五入もできない計算機ですかね。 カタログ を見れば Hfeの範囲は倍 半分です。 メーカの仕様は+/- 100%のばらつきがあります。 六桁最もらしく書く気が知れません。 おかしいのは与えられたデバイスモデルでVce Ib カーブ など描いてみると直ぐ分ります。(今回の回路でも利得が合わないです。)残り電圧が大きすぎます。 <--- REがでたらめ。それなのにRb Rc が無い。 たぶん東芝の石もコレクターから順番に作ってあるでしょう。(さもなければ特殊構造 フェアチャイルドの特許料は払わなくても良かったことになります。)そうするとエミッター層の比抵抗を考えれば直ぐおかしいと気がつくはずです。 それ以上は調べる気がしません。