No.469から特性改善を図ったMOSFET回路をシミュレートしました。入力段をソースホロア+差動段は相補Hブリッジ接続とし、入力段のソースホロアと差動の動作電流は定電流回路で電源の影響排除。位相補正回路は二段構成。終段のアイドリング電流は127mA20kHz 1.1V 及び 11V出力時の歪率は0.01%程度です。 おおよそ一桁改善。