バラックで、外部電源で動作させました。手持ちに電源の最大出力電圧の、３７Ｖでの動作です。１％歪で、目標出力の４０Ｗ超えました。バラックですので、特性はそんなに良くないかも？当初は、アイドル電流が３Ａ超え（爆）で、定電圧電源の出力がオーバー回路定数を弄って、現状は４５０ｍＡです。何とか、なりそうな感じですので、ケースと電源を考えますかね。
無事に、メルトダウンすることも無く、負荷抵抗がアッチッチになりながら、試験をパスしました。電源電圧はもう少しあげて、５０Ｗを狙いますかね。
何とか行きそうですね。まあ４０Ｗあれば十分ですが、後は活用？できる電源トランスの事情で決まります。 若干歪は多いですね。コンプリでないから？ シミュでは歪は定電流ダイオードをもう少し流したほうが良さそうです。電圧増幅段は２ｍＡまで、電力段はそれ以上でも可。 定数設定が決まりましたらまた教えてください。
この手のＦＥＴを、出力段に持ってきて、電源電圧をあげても、一筋縄では出力は上がりませんね。基本回路が１０Ｗ程度を想定された物を、むりやり倍の電源電圧にあげて、４倍の出力を稼いでます。ＦＥＴのドライバー段は、さすがに２ＳＣ１８１５と言う訳にはいかずに、手持ちの中で行けそうな物と言う事で、２ＳＣ３４２１で試してますが、ＹランクのＨｆｅが１６０程度です。この辺りをもう少し考慮してやら無いと、特性は良くならないでしょうね。ところで、石田さんはＬＴＳＰＩＣＥでシュミレーションされてるのですか？
東芝のＴＴＣ０１５Ｂが良いのでは無いかと考えてます。ｈｆｅ−Ｉｃ特性が、０．００１ｍＡから、０．５Ａ程度の範囲で、９０％位の変化です。今週にでも、入手して測定してみたいです。
シミュは制約が多いのですが慣れでCircuitMakerStudentVer6.2Cを使っています。 ちゃんとやるならLTSPICEの方がよいでしょうね。 まあシミュはシミュで限界がありますので実機結果を参考にさせてもらいます。