オペアンプ＋MOSFETアンプの改良を行いました。追加したのは、①リップルフィルター、②オペアンプによるスプリッター、③MOSFETへの銅箔テープ、です。音的な変化は低中域の厚みが増したことですが、一番改善効果があったのは③でした。以外な結果に驚いています。昨日の三土会で同様なアンプとの比較が行われ、「出力段のMOSFETの違いが音に現れたのでないか」という意見があり、③の効果について妙に納得してしまいました。なお、本アンプは3/22の町田OFF会で鳴らす予定です。
どうでしょう、ＦＥＴの銅箔をソースに繋ぐのと、アースに繋ぐのの違いってあるのでしょうか？ソースがアースに触れると大変ですが、ちょっと思いがあって、TO-3ってケースがソースになっているでしょう。それが効果に関係するかなと思っています。逆にTO-3はこのようにシールドできませんし、ケースがシールドかな？と思って。
昔、私が駆け出しの設計者だったころ、研究所の先輩から、「放熱器はアースに落とせ。そうすれば悪さはしない」と教わりました。ここでいう悪さとは不要輻射や周辺配線材へのノイズ誘導という意味です。ケースがソースに接続されているキャンタイプのFETは、プラスチックパッケージ品より良いと思いますが、銅箔テープ＋アースと比べてどうでしょうか。実験したことがないのでなんともいえませんが、経験的な推測では、銅箔テープ＋アースのほうが良いように思えます。
申し訳ありません。何を言っているのかよくわかりません。放熱器はアースに落とせ。銅箔は放熱器でしょうか？トランジスタの構造上 放熱は基本的にコレクタ、またはソースとなっています。それをアースに落とすと壊れます。実験したことがないのでなんともいえませんが、経験的な推測では、・・・経験のない経験的推測とは何を持って良いと言えるのでしょうか？
キャンタイプvsプラスチックパッケージに銅箔＋アース、のどちらが良いのかは、キャンタイプ未経験なのでわかりません。
かっこいい。音良さそうですね。ただ、放熱器にＦＥＴ付けてあげないと、長時間使ったらＦＥＴが可哀想な気がします。早く放熱器に付けてあげて下さい。
大丈夫ですよ。±9VでId=50mAくらいの小出力なので、大きな放熱器は不要かと。