画像Upload/動画埋め込み掲示板(imgboard 2015)

スマホ(iPhone,Android),ガラ携対応版&スパム対策Ver.6.0

球アンプ分科会掲示板(超三結アンプ)


   ページ指定:[ 1 . ]


ごめんなさい うだ 2006/08/29,02:51 No.672
 さきほどの、私からの質問は間違いでした、取り消します。

 というのは初段の FET-三極管 GG (grounded grid) には、すでに終段プレートから P-K NFB が掛けられているので、さらに B電源供給と一緒に NFB を重ねる必要は無いのでは、と考えたからです。
 となると初段の B電源はナマB またはデカップリング経由とするのが標準的な回路となりますが。

 FET-三極管 GG 構成にて五極管なみのゲインを稼ぐのは、グッド・アイデアですね。
 ただし三極管の動作には、FET の抵抗分が三極管の自己バイアスとして動作する訳ですが、FET の自己バイアスはゼロでよいのか、適切な値があるのか FET の品種によっても異なるでしょうね。 ここはよく判りません。

 なお、出力トランスの下のダイオードはCでバイパスしているので純抵抗動作となるでしょう。


[返信しないで戻る]