さきほどの、私からの質問は間違いでした、取り消します。

　というのは初段の FET-三極管 GG (grounded grid) には、すでに終段プレートから P-K NFB が掛けられているので、さらに B電源供給と一緒に NFB を重ねる必要は無いのでは、と考えたからです。
　となると初段の B電源はナマB またはデカップリング経由とするのが標準的な回路となりますが。

　FET-三極管 GG 構成にて五極管なみのゲインを稼ぐのは、グッド・アイデアですね。
　ただし三極管の動作には、FET の抵抗分が三極管の自己バイアスとして動作する訳ですが、FET の自己バイアスはゼロでよいのか、適切な値があるのか FET の品種によっても異なるでしょうね。　ここはよく判りません。

　なお、出力トランスの下のダイオードはＣでバイパスしているので純抵抗動作となるでしょう。