投稿者： 余人
投稿日時： 25/08/08 15:10:30
ずいぶん古い話で恐縮です。
半導体ダイオードに直列に抵抗を入れて、それを整流管の陽極-陰極に並列に繋げば出来ます。実際に実行して問題ありませんでした。
パラレルハイブリッドです。
私の場合、直熱整流管の内部抵抗が大きすぎてB電圧が低かったのを援護するためにやりました。
それじゃ整流管使う意味ないってか(笑)
抵抗値は整流管の内部抵抗を調べてそれの数倍の抵抗なら勘弁してもらいたいです。非直線性は無視していいでしょう。
5U4Gの内部抵抗がだいたい250Ωくらいですから半導体+1kΩで願いは叶いました。5U4GB相当になりました。
漏れインダクタンスと逆回復電流のインダクティブキックを抑えるスナバを入れた方がいいと思います。
ついでにこのパラ回路が予備充電器になってくれて突入電流抑制にも役立ちます。