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高宮さま良い音しそうな回路構成ですね。今度、つくってみます。いしだ＠神奈川
いしださん こんにちはエミホロのベース電圧は必要とする出力電圧より若干高くする必要があります。普通のｏｐ−ａｍｐだけでは達成できません。エミッター接地増幅回路をつけた回路を描いてみました。 波形は少しクリップし始めたときの電圧 電流です。4Ω負荷で二石パラにすると最大電流は一石あたり5Ａ程度です。電流ブースターで旨くいくことを祈ります。
蛯名＠茨城さま40年近く前に流行したのですね。電源のインピーダンスを上げてわざと振れるようにする方式に興味あります。クロス歪みを出なくする方法を考えてみます。情報ありがとうございますした。
高宮さまこの回路の要件はope-ampドライブmosfet4パラ構成で終段の電源電圧が±50Vであることです。当初は6dj8ドライブで考えましたが、ope-ampの電源が信号で振られるのを利用しようとしました。結局、ope-amp+エミッタフォロワドライブとなった次第です。LTspiceはインストールしてみます。いしだ＠神奈川
ope-amp+エミッタフォロワにしてみましたのでUPします。CRの定数はまだです。
いしださん ＬＦ356と20N20の組み合わせの音に関心がおありでしょうか。それとも新しい回路構成をご検討でしょうか、お教えください。 エミッターホロアーはベース電圧にほぼ同じ電圧がエミッターに出ます。同様に、ＦＥＴのソースにもゲート電圧とほぼ同じ電圧が出ます。 このままではＶｃｃに何ボルト加えても、Ｖｃｃ−２で駆動するＬＦ356の最大振幅より大きな出力は出ません。まずはＬＴspiceをインストールされることを期待します。
ドライバーＴＲ ２ＳＡ１３５８／２ＳＣ３４２１を出力ＴＲとして使用した１９パラレル・アンプが完成しました。温度補償は試行錯誤の繰返しですが、あと少し微調整が必要です。（長時間使用しても安心できるレベルにはあります） 発振防止にも悩みました最終的には放熱器をＧＮＤ接続し、放熱器上でエミッター・ＧＮＤ間に「１Ω＋０．１μ」（ＦＣ＝１６００ｋＨｚ）の直列回路を挿入して安定しました。神戸灘区 鶴甲会館試聴会には参加できそうです。
１ｋＨｚ １Ｖｒｍｓ ８オーム オン・オフ 測定で２０ｍΩです。（前作と同じですが）
測定抵抗 ８．２１ΩＯＦＦ時電圧 １．０３７６ＶＯＮ時電圧 １．０３５１Ｖ出力インピーダンス ０．０１９８ＤＦ ４１４出力インピーダンス（mΩ） ２０８ΩＤＦ ４０３
安価だったとのことですが、小ＰＣのＴｒの方の音は良さそうという声もあるので音の方はいかがですか？ 各Ｔｒへの電力集中を避ける対策（各エミッタへの抵抗挿入）とかは無くて大丈夫でしょうか？（たとえば蝦名さんの１００パラアンプ等）
石田さん ＠２５前後でした。 電力集中を避ける対策として、稼働予定のアイドリング２００ｍＡ状態でのＶＢＥを測定（ｈｆｅは気にしない）、±２ｍＶの範囲でペアー設定しました。したがって、エミッター抵抗レスです。ただ同一ロットでは±４ｍＶの範囲内なのでロット内無選別で大丈夫かも知れません。 音質は激良好です。スピーカの存在が透明になって、存在感がしなくなりました。
２ＳＡ１３５８のＩＣ＝２００ｍＡ時の伝達インピーダンスが約２０８ｍΩですからＩ＝Ｅ／ＲＩＣ＝０．００１Ｖ／０．２０８Ω＝０．００４８Ａ＝４．８ｍＡＶＢＥ １ｍＶ当たりのＩＣ＝４．８ｍＡ４ｍＶの範囲でのペアーでは最大２０ｍＡのバラツキになります。
いしださん ＦＥＴをトランジスタで駆動する回路案を描いて見ました。フリーのシミュレーション ソフト ＬＴｓｐｉｃｅを使うと動作するか机上検討はできます。ダイオードは過大入力時のクランプです。 ドライバートランジスタは許容電力の大きいものが必要です。ゲート バイアス 電圧は ＦＥＴの品名が変われば合わせて下げなければ壊れます。
高宮＠島根さま下記回路図大変参考になります。私の回路では信号が取り出せないですが、電源が信号に応じて振れてしまうのを引き出す方式は原理的に無理でしょうか？ope-amp+エミッタフォロワに変更した回路を後ほどUPします。取り敢えず御礼まで。石田
電源はインピーダンスをゼロにするのが基本ですから、電源変動を利用するのは無理です。1975〜77年頃にOPアンプの利用法で流行った電源端子を利用した電流ブースターがありますが、これは電源とOPアンプの電源端子の間に抵抗を入れています。トランジスタ技術1977年2月号の岡村先生の記事などが参考になりますし、手作りアンプの会では身元さん、石田＠北柏さん、大橋さんが挑戦しています。クロス歪を気にしないのであれば、この方法でもいいかもしれません。音を聞いてみて、オーディオアンプとして使えるか判断したらいいと思います。
別府アンプができました（正確には、別府アンプを参考に変更を加えたアンプです）。完全無調整、エミッタフォロアのエミッタ抵抗なし、という特徴がありいます。オペアンプはLT1364。出力は7W+7W。明日（5/18)の三土会でCHP-70V2スピーカー共に鳴らしてみたいと思います。
横浜ベイサイドネットで販売しているTDA7294完成基板（現在は在庫なし）を使ってアンプを作りました。AitendoのTDA7293キットと同様、ICの仕様書的には100W出せます。本アンプの出力は5W+5Wくらいです（電圧±12V)。細部が少し曇りますが、歪みがなく安心して聞ける音だと思います。5月の三土会には持って行きません。
アドバイス色々ありがとうございました。ドライバー段を考えてみましたのでUPします。
この回路だと、瞬間的にドライバ段、出力段が飛んでしまいます。まあ、間違いはさておき、実際に使う回路を示して頂かないと、変な所で突っ込みを入れたくなってしまいます。実際の回路を載せたらどうでしょうか。あと、ドライバ段を使うのであればドライバ段の前にバイアス回路を入れるのが普通です。
いしださんの回路の問題点はお気づきになりましたでしょうか。部品の回路番号が無いのでお話がしにくいですが、ＶＣＣ／ＶＥＥ２に抵抗を介してベースに接続しているトランジスタはｉｎｐｕｔ信号に無関係で電源電圧に比例するエミッター電流が流れます。 エミッタ抵抗が小さければトランジスタは破壊します。 しかし、１ｋΩだとするとおよそ14ｍＡ流れ、二つのエミッター抵抗が等しければ、真ん中の電圧は0Ｖになるだけです。 エミッター電圧はベース電圧より高くならないのでコレクタの電圧を高くするのは無用です。 このままではドライバー段として動作しません。ＬＦ356はナショナルセミコンダクタの初期のＪＦＥＴオペアンプです。 当然レールツーレールでは無く、Ｖｃｃ２は15Ｖ以上は無理ですが 出力端をグランドに接続すると内部の電流リミッターが働くか破壊するだけです。50Ｖに接続した抵抗は電圧降下のためにＦＥＴのゲートを電源電圧まで上げることが出来ませんので、不要です。 エミホロでＮＰＮを駆動すべきです。必要とするゲート電圧にするにはダイオード二個は不要で、 有れば大電流が流れてＦＥＴの破壊に至りませんか。 ＡＢ級のバイアス電流を数百ｍＡにするには20Ｎ20の場合はゲート電圧は1Ｖ以下ではありませんか。先に紹介した同じナショナルセミコンダクター（今はＴＩ社）のＬＭＥ４９８３０いいＩＣだと思いますが、ＥＸｉｃｏｎは聞きなれないメーカのようですがＭＯＳ回路を触るときには壊れる恐れもありますで、 充分注意して実験されるのが良いと思います。
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